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三次元粗さ解析走査電子顕微鏡
ERA-nanoR

【ERA seriesをご検討中のお客様へ】

ご注文停止のお知らせ

弊社製品をご検討いただき、誠にありがとうございます。現在、予想を上回るご注文により、生産が追いつかないため、ご注文およびデモ評価の受付を一時停止させていただいております。再開時期については、生産状況を見ながらご案内いたします。ご不便をおかけしますこと、心よりお詫び申し上げますとともに、何卒ご理解いただけますようお願い申し上げます。

電子ビームエッジ解析装置

ERA-nanoR

  • 計測・分析装置
電子ビームエッジ解析装置

製品特徴

ナノレベルのエッジのR(曲率半径)や面粗さを数値化

電子ビームによる超微細計測・解析技術を用いて、精密加工ツールの刃先などの形状や粗さを数値化します。
光方式などの既存測定手法では困難だった、ナノレベルでの比較・解析を実現します。

エッジ解析機能

光学式装置では捉え切れない、微細な切削加工を左右する刃先の状態を、切れ味を決める隠れた要素であるすくい面・にげ面の表面性状の他、曲率半径解析や、稜線解析、形状誤差解析などの各種機能により、解析・比較することができます。

エッジ解析機能
エッジ解析機能
エッジ解析機能
エッジ解析機能

元素分析、結晶方位解析(オプション)

  • 元素分析や結晶方位解析などのオプション機能追加が可能。
  • 標準のSEM画像、形状測定データに加え、元素マッピング像など多彩な情報が短時間で得られます。
  • 3D元素マッピング機能では、コート材剥離、異元素付着など、元素の高さ情報をナノ~ミクロンオーダーで解析できます。
元素分析、結晶方位解析(オプション)
元素分析、結晶方位解析(オプション)
元素分析、結晶方位解析(オプション)
元素分析、結晶方位解析(オプション)

主な仕様

  高解像度システム 標準システム
分解能 1.2 nm (30 kV) 5 nm (1 kV) 3.5 nm (35 kV)
電子銃 ZrO/W 熱電界放出型 プリセンタードタングステン
加速電圧 0.3 ~ 30 kV 0.3 ~ 35 kV
倍率 20 ~ 600,000倍 10 ~ 400,000倍
検出器 二次電子検出器4本、4 ch反射電子検出器1本
像観察 差信号凹凸強調二次電子像、和信号組成強調二次電子像、通常の二次電子像、反射電子像
画像形式 BMP、JPG、TIFF、PNG
観察モニター 27インチ液晶
オート機能 コントラスト、ブライトネス、フォーカス、スティグマ
試料サイズ 試料サイズについてはご相談ください
(試料例:Φ150 x H30、L250 x W50 x H30 mm、8インチΦなど)。
ステージ駆動 X, Y, Z, R, T
試料移動範囲 X:0 ~ 50 mm Y:0 ~ 155 mm
Z:4 ~ 36 mm Z:8 ~ 40 mm
R:360 度連続エンドレス
T:-7 ~ +70°
排気系 ターボ分子ポンプ、油回転ポンプ、イオンポンプ ターボ分子ポンプ、油回転ポンプ
Z方向分解能 1 nm
測定点数 LINE測定 (X、Y方向とも):最大32,767点、3D測定:最大4,800 x 3,600点
測長機能 X、Y、Z方向2点間の距離、傾斜角度
表面性状
解析機能
鳥瞰図、等高線図、山数、粒度、面積率、JIS規格粗さパラメーター
エッジ解析機能 刃先解析、曲率半径解析、稜線解析、形状誤差解析

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