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電子ビーム描画装置
ELS-BODEN Σ

電子ビーム描画装置

ELS-BODEN Σ

  • 新製品
  • 微細加工装置
業界最速!スキャンクロック400 MHzの高速スキャンで生産向けに対応

製品特徴

業界最速の400 MHz高速スキャン

これまで大電流で描画を行う際は、最小ドーズタイムと最適なドーズ量のバランスから、ショットピッチを広く設定する必要がありました。400 MHzスキャンクロックでは、最小ドーズタイムが従来の1/4となり、これまで不可能だった大電流かつ狭ピッチでの描画が可能となり、より高速で高品質な描画を実現します。

高速化したステージ速度

描画フィールドをたくさん並べたり、描画中にアライメントマークの検出を繰り返したりすると、ステージの駆動回数が増えてしまいます。このような描画を行う際は、ステージの駆動速度が重要となります。BODEN∑では高速駆動が可能なステージを採用することで、スループットを重視する産業用途に有利な仕様となっております。

外乱の影響を低減

装置本体を囲う風防と磁場キャンセラーを標準搭載。設置環境の外乱を低減し、安定したプロセスを実現します。

主な仕様

電子銃 ZrO/W 熱電界放出型
加速電圧 50 kV 100 kV 125 kV 150 kV
ビーム電流 1 nA ~ 800 nA 20 pA ~ 100 nA 5 pA ~ 100 nA 5 pA ~ 100 nA
最小ビーム径 D 2.8 nm D 1.8 nm D 1.7 nm D 1.5 nm
標準フィールドサイズ 1000 μm□ 1000 μm□ 500 μm□ 500 μm□
最小 / 最大フィールドサイズ 最小 100 μm □
最大(オプション)3000 μm□
スキャンクロック 最大 400 MHz
ショットピッチ 最小 0.2 nm
最大試料サイズ 8″ ウェハー
最大描画エリア 200 mm x 200 mm
搬送機構 シングルオートローダー
ロボットローダー
Software elms(エルムス)
  • ビーム調整機能
  • 描画スケジュール機能
  • パターンデータ変換機能
  • アカウント管理機能
  • Python スクリプティング

アプリケーション

加速電圧 150 kV

ピッチ50 nm、線幅3 nmのLine&Spaceパターン
ピッチ50 nm、線幅3 nmのLine&Spaceパターン
ピッチ12 nmのElbowパターン
ピッチ12 nmのElbowパターン
線幅8 nmの縦・横・斜め・リングパターン
線幅8 nmの縦・横・斜め・リングパターン
ギャップ2.5 nmのBow-Tieパターン
ギャップ2.5 nmのBow-Tieパターン

加速電圧 125 kV

ピッチ60 nm、線幅4 nmのLine&Spaceパターン
ピッチ60 nm、線幅4 nmのLine&Spaceパターン
ピッチ600 nmのブレーズドパターン
ピッチ600 nmのブレーズドパターン
2 µm厚のレジストで作製したピッチ250 nmのSAWデバイスパターン
2 µm厚のレジストで作製したピッチ250 nmのSAWデバイスパターン
一辺50 nmの三角形パターン
一辺50 nmの三角形パターン

加速電圧 100 kV

Φ20 nm、高さ60 nmのピラーパターン
Φ20 nm、高さ60 nmのピラーパターン
ピッチ60 nmのLine&Spaceパターン
ピッチ60 nmのLine&Spaceパターン
ピッチ400 nm、一辺200 nmの四角形パターン
ピッチ400 nm、一辺200 nmの四角形パターン
円周スキャンを用いた線幅50 nmのリングパターン
円周スキャンを用いた線幅50 nmのリングパターン

加速電圧 50 kV

4 inch全面にピッチ400 nmのLine&Spaceパターンを18hで作製
4 inch全面にピッチ400 nmのLine&Spaceパターンを18hで作製
線幅100〜450 nmの同心円パターン
線幅100〜450 nmの同心円パターン
モルフォ蝶の鱗粉を模したパターン
モルフォ蝶の鱗粉を模したパターン
線幅150 nmの長方形パターン
線幅150 nmの長方形パターン

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