ECRイオンビーム装置
EIS-220P
製品特徴
２本のイオン銃を搭載
2本のイオン銃をエッチング用と成膜用に使い分けることで、サンプルをチャンバー内から取り出すことなく、真空状態を維持したままエッチングと成膜を交互に繰り返し行うことが可能です。
イオンビーム照射角度調整
サンプルステージの角度を調整することで、サンプルに対するイオンビーム照射角度を変更することができ、所望の角度に制御した斜めエッチングが可能です。
不活性ガス、活性ガスが使用可能
Ar、Xeなどの不活性ガスに加え、O₂やCF₄などの活性ガスもイオンソースとして適用できるため、反応性エッチングも可能です。
主な仕様
| イオン銃 | ECR型イオン銃 |
|---|---|
| イオン化ガス | Ar, N₂, O₂, CF₄など ※CF系ガスは要相談 |
| 加速電圧 | 20 V～3000 V |
| ビーム電流密度 | Ar：1.5 mA/cm² 以上 (2 kV加速時） |
| イオンビーム有効径 | Φ20 mm (FWHM 35 mm)※最大時 |
| 最大試料サイズ | メインステージ：Φ4インチ サブステージ：Φ3インチ |
| 試料ステージ | メインステージ：回転傾斜1軸動ステージ（水冷機構付き） サブステージ：回転ステージ（水冷機構付き） |
| 到達真空度 | 4×10⁻⁴ Pa以下 |
| 動作真空度 | 6×10⁻³ Pa～2×10⁻² Pa |
| 排気系 | ターボ分子ポンプ ドライポンプ |
| 推奨設置スペース | W 3000 mm×D 2000 mm×H 1500 mm |
アプリケーション
EIS-220P
線幅50 nm、高さ100 nmの直線リフトオフパターン
線幅50 nm、高さ100 nmの曲線リフトオフパターン
線幅100 nm、高さ100 nmのリフトオフパターン
T-gateプロセスとリフトオフプロセスで作製したキノコ形状
