ECRイオンビーム装置
EIS-200ERP
製品特徴
コンパクトかつ高性能
1050 × 650 × 1260 mm のコンパクトサイズで，様々な環境に設置可能です。真空中で加速されたイオンビームにより、サブミクロン領域でのアンダーカット・サイドカットの少ない異方性エッチングが可能です。
不活性ガス、活性ガスが使用可能
Ar、Xeなどの不活性ガスに加え、O₂やCF₄などの活性ガスもイオンソースとして適用できるため、反応性エッチングも可能です。
幅広い拡張性
オプションの成膜ユニットを取り付ければスパッタ成膜装置としても使用可能。ロングスロースパッタにも対応し、材料を直進性高く成膜することができます。
主な仕様
| イオン銃 | ECR型イオン銃 |
|---|---|
| イオン化ガス | Ar, N₂, O₂, CF₄など ※CF系ガスは要相談 |
| 加速電圧 | 20 V ~ 3000 V |
| ビーム電流密度 | Ar：1.5 mA/cm²以上 (2 kV加速時） |
| ビーム有効径 | Φ20 mm(FWHM 35 mm) ※最大時 |
| 最大試料サイズ | Φ4 インチ |
| 試料ステージ | 回転傾斜1軸動ステージ（水冷機構付き） |
| 到達真空度 | 3×10⁻⁴ Pa以下 |
| 動作真空度 | 6×10⁻³ Pa～2×10⁻² Pa |
| 排気系 | ターボ分子ポンプ 油回転ポンプ（ドライポンプ変更可） |
| 推奨設置スペース | W 2300 mm × D 2000 mm × Ｈ 1500 mm |
アプリケーション
EIS-200ERP
ピッチ200 nm、深さ450 nmのLine&Spaceパターン
Φ300 nm、深さ300 nmの傾斜ドットパターン
最大深さ1050 nmのホログラムパターン
Φ35 nm、ピッチ100 nmのピラーパターン
EIS-200ERP+オプション
線幅50 nm、高さ100 nmの直線リフトオフパターン
線幅50 nm、高さ100 nmの曲線リフトオフパターン
線幅100 nm、高さ100 nmのリフトオフパターン
T-gateプロセスとリフトオフプロセスで作製したキノコ形状
