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ECRイオンビーム装置
EIS-1500

ECRイオンビームエッチング装置

EIS-1500

  • 新製品
  • 微細加工装置
ECRイオン源を用いた異方性ドライエッチング装置

製品特徴

微細加工に最適

ECRプラズマは、低ガス圧の環境下で生成されるため直進性の高いビームを引き出すことができます。大量の低エネルギーイオンを加速して、より高真空な試料チャンバー内に導いて加工します。ナノオーダーのエッチング加工に最も適したシステムです。

PCによる操作の簡略化と自動化

オペレーターの負荷を軽減するための自動スケジュール機能、レシピ機能など快適なオペレーション環境を提供します。

低ダメージエッチング

プラズマ生成条件設定、ビーム加速電圧設定などに加え、ビーム面内分布モニタリング機能を駆使することで、レジストへのダメージを最小限に止め、選択比の大きい加工条件が得られます。

主な仕様

イオン銃 ECR型イオン銃
イオン化ガス Ar, N₂, O₂, CF₄など
※CF系ガスは要相談
加速電圧 300 V~2000 V
ビーム電流密度 Ar:0.15 ~0.2 mA/cm²またはそれ以上 (700 V加速時)
ビーム有効径 Φ108 mm ※最大時
最大試料サイズ Φ6インチ
試料ステージ 回転傾斜1軸動ステージ(水冷機構付き)
到達真空度 3×10⁻⁴ Pa以下
動作真空度 6×10⁻³ Pa~3×10⁻² Pa
排気系 ターボ分子ポンプ
ドライポンプ
推奨設置スペース W 5000 mm×D 3500 mm×H 2000 mm

アプリケーション

EIS-1500

ピッチ450 nmLine&Spaceの45°傾斜エッチングパターン
ピッチ450nmLine&Spaceの45°傾斜エッチングパターン
PtをArイオンでエッチングしたピッチ400 nmLine&Spaceパターン
PtをArイオンでエッチングしたピッチ400nmLine&Spaceパターン
SiをArイオンでエッチングしたピッチ400 nmLine&Spaceパターン
SiをArイオンでエッチングしたピッチ400nmLine&Spaceパターン

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