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『加速電圧150kV』
ELS-F150 製品ページへ

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    超極細線描画例 
    線幅3nm ピッチ50nm

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『加速電圧125kV』    ※画像をクリックすると拡大画像が表示されます。
ELS-F125 製品ページへ

  • 線幅4nm ピッチ50nm

    極細線描画例 
    線幅4nm ピッチ50nm

  • ナノギャップ電極パターン

    不揮発メモリー
    ナノギャップ電極パターン

  • 50nm□ ピッチ100nm 正方配列パターン

    50nm□ ピッチ100nm 
    正方配列パターン

  • Φ10nm ピッチ35nm 正方配列パターン

    Φ10nm ピッチ35nm 
    正方配列パターン

  • レジスト厚1500nm 線幅15nm

    レジスト厚1500nm 
    線幅15nm 

『加速電圧100kV』    ※画像をクリックすると拡大画像が表示されます。
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  • 三層レジスト

    三層レジスト
    T-gate process

  • ホールアレイ ピッチ600nm パターン深さ 2um (六方最密配列パターン)

    ホールアレイ ピッチ600nm
    パターン深さ 2um
    (六方最密配列パターン)

  • 線幅5nm L&Sパターン

    線幅5nm L&Sパターン

  • Φ85nmナノドーナツ(ポジ) ピッチ 200nm

    Φ85nmナノドーナツ(ポジ)
    ピッチ 200nm

  • 三次元ホログラムパターン

    三次元ホログラムパターン

『加速電圧50kV』    ※画像をクリックすると拡大画像が表示されます。
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  • ピラミダルパターン EBによるハーフトーン露光

    ピラミダルパターン
    EBによるハーフトーン露光

  • 厚膜レジスト ハーフピッチ100nmL&S

    厚膜レジスト 
    ハーフピッチ100nmL&S

  • ブレーズドサークルパターン EBによるハーフトーン露光

    ブレーズドサークルパターン
    EBによるハーフトーン露光

『EIS-200ERP』+ NPDユニット
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  • Crリフトオフパターン Cr膜厚30nm □100nm ピッチ200nm

    Crリフトオフパターン 
    Cr膜厚30nm
    □100nm ピッチ200nm

  • Crリフトオフパターン Cr膜厚30nm ハーフピッチ50nm

    Crリフトオフパターン
    Cr膜厚30nm
    ハーフピッチ50nm

  • Crリフトオフパターン Cr膜厚10nm 線幅20nm ピッチ60nm

    Crリフトオフパターン
    Cr膜厚10nm
    線幅20nm ピッチ60nm

  • Crリフトオフパターン Cr膜厚10nm Φ30nmピッチ100nm 六方最密配列

    Crリフトオフパターン
    Cr膜厚10nm
    Φ30nmピッチ100nm
    六方最密配列

『ERA-9000』    ※画像をクリックすると拡大画像が表示されます。
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  • EBレジスト(ネガタイプ) (20万倍)

    EBレジスト(ネガタイプ)
    (20万倍)

  • カーボンナノチューブ (10万倍)

    カーボンナノチューブ
    (10万倍)

  • カーボンナノチューブ 先端部分(40万倍)

    カーボンナノチューブ
    先端部分(40万倍)

  • 金粒子 加速電圧による 比較(20万倍) 左半分:100V 右半分:1kV

    金粒子 加速電圧による
    比較(20万倍)
    左半分:100V 右半分:1kV

  • 凹凸強調二次電子像 (A-B像) Si異方性エッチング構造

    凹凸強調二次電子像
    (A-B像)
    Si異方性エッチング構造

  • 三次元鳥瞰図 Si異方性エッチング構造

    三次元鳥瞰図
    Si異方性エッチング構造

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