アプリケーション

『ELS-F125』    ※画像をクリックすると拡大画像が表示されます。
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    極細線描画例 
    線幅4nm ピッチ50nm

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    不揮発メモリー
    ナノギャップ電極パターン

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    50nm□ ピッチ100nm 
    正方配列パターン

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    Φ10nm ピッチ35nm 
    正方配列パターン

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    レジスト厚1500nm 
    線幅15nm 

『ELS-F100』    ※画像をクリックすると拡大画像が表示されます。
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    三層レジスト
    T-gate process

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    ホールアレイ ピッチ600nm
    パターン深さ 2um
    (六方最密配列パターン)

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    線幅5nm L&Sパターン

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    Φ85nmナノドーナツ(ポジ)
    ピッチ 200nm

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    三次元ホログラムパターン

『ELS-S50』    ※画像をクリックすると拡大画像が表示されます。
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    ピラミダルパターン
    EBによるハーフトーン露光

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    厚膜レジスト 
    ハーフピッチ100nmL&S

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    ブレーズドサークルパターン
    EBによるハーフトーン露光

『EIS-200ER』+ NPDユニット
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    Crリフトオフパターン 
    Cr膜厚30nm
    □100nm ピッチ200nm

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    Crリフトオフパターン
    Cr膜厚30nm
    ハーフピッチ50nm

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    Crリフトオフパターン
    Cr膜厚10nm
    線幅20nm ピッチ60nm

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    Crリフトオフパターン
    Cr膜厚10nm
    Φ30nmピッチ100nm
    六方最密配列

『EIS-1200』    ※画像をクリックすると拡大画像が表示されます。
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    ナノ流路デバイス 
    基板:石英
    溝幅50nmのY型分岐路

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    無反射構造ナノピラーアレイ
    基板:石英
    ピッチ200nm 高さ600nm
    (六方最密配列パターン)

『EIS-700』    ※画像をクリックすると拡大画像が表示されます。
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    高アスペクト比
    ピラーアレイ構造
    (六方最密配列パターン)

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    高アスペクト比
    SAWデバイスパターン

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    Si基板ディープエッチング

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    高アスペクト比
    ハニカム構造体

『ENF-3500』    ※画像をクリックすると拡大画像が表示されます。
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EBテクスチャリング
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     半球形薄板の三次元溶接 

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    左図の拡大
    SUS304 厚さ40μm

『ERA-9000』    ※画像をクリックすると拡大画像が表示されます。
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    EBレジスト
    (20万倍)

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    カーボンナノチューブ
    (10万倍)

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    カーボンナノチューブ
    先端部分(40万倍)

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    金粒子 加速電圧による
    比較(20万倍)

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    凹凸強調二次電子像
    (A-B像)
    Si異方性エッチング構造

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    三次元鳥瞰図
    Si異方性エッチング構造

『ENT-3100』    ※図をクリックすると拡大画像が表示されます。
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    レジスト9回測定
    重ね合わせデータ

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    ポリエステルフィルム
    測定条件
    荷重1~10000μN 
    10点ずつ測定

『ENT-2100』    ※図をクリックすると拡大画像が表示されます。
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    アクリル樹脂測定例
    押し込み深さ20nm  

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    ゴム測定例
    最低荷重5μN  

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    プラスチックファイバー測定
    ファイバー上のコート膜の
    膜質のバラつきを確認。  

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    光硬化樹脂測定例
    EIT値が既知の値通り
    に測定できました。  

『ENT-1100b』    ※図をクリックすると拡大画像が表示されます。
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    Siウェハ9回連続測定例  

『ESF-5000Plus』    ※図をクリックすると拡大画像が表示されます。
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    シリコン基板上に
    自己組織化単分子膜
    を形成したサンプル例  

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    水の濡れ性(接触角)の
    測定結果との比較例  

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