アプリケーション

『ELS-F125』    ※画像をクリックすると拡大画像が表示されます。
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  • 線幅4nm ピッチ50nm

    極細線描画例 
    線幅4nm ピッチ50nm

  • ナノギャップ電極パターン

    不揮発メモリー
    ナノギャップ電極パターン

  • 50nm□ ピッチ100nm 正方配列パターン

    50nm□ ピッチ100nm 
    正方配列パターン

  • Φ10nm ピッチ35nm 正方配列パターン

    Φ10nm ピッチ35nm 
    正方配列パターン

  • レジスト厚1500nm 線幅15nm

    レジスト厚1500nm 
    線幅15nm 

『ELS-F100』    ※画像をクリックすると拡大画像が表示されます。
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  • 三層レジスト

    三層レジスト
    T-gate process

  • ホールアレイ ピッチ600nm パターン深さ 2um (六方最密配列パターン)

    ホールアレイ ピッチ600nm
    パターン深さ 2um
    (六方最密配列パターン)

  • 線幅5nm L&Sパターン

    線幅5nm L&Sパターン

  • Φ85nmナノドーナツ(ポジ) ピッチ 200nm

    Φ85nmナノドーナツ(ポジ)
    ピッチ 200nm

  • 三次元ホログラムパターン

    三次元ホログラムパターン

『ELS-S50』    ※画像をクリックすると拡大画像が表示されます。
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  • ピラミダルパターン EBによるハーフトーン露光

    ピラミダルパターン
    EBによるハーフトーン露光

  • 厚膜レジスト ハーフピッチ100nmL&S

    厚膜レジスト 
    ハーフピッチ100nmL&S

  • ブレーズドサークルパターン EBによるハーフトーン露光

    ブレーズドサークルパターン
    EBによるハーフトーン露光

『EIS-200ER』+ NPDユニット
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  • Crリフトオフパターン Cr膜厚30nm □100nm ピッチ200nm

    Crリフトオフパターン 
    Cr膜厚30nm
    □100nm ピッチ200nm

  • Crリフトオフパターン Cr膜厚30nm ハーフピッチ50nm

    Crリフトオフパターン
    Cr膜厚30nm
    ハーフピッチ50nm

  • Crリフトオフパターン Cr膜厚10nm 線幅20nm ピッチ60nm

    Crリフトオフパターン
    Cr膜厚10nm
    線幅20nm ピッチ60nm

  • Crリフトオフパターン Cr膜厚10nm Φ30nmピッチ100nm 六方最密配列

    Crリフトオフパターン
    Cr膜厚10nm
    Φ30nmピッチ100nm
    六方最密配列

『EIS-1200』    ※画像をクリックすると拡大画像が表示されます。
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  • ナノ流路デバイス 基板:石英 溝幅50nmのY型分岐路

    ナノ流路デバイス 
    基板:石英
    溝幅50nmのY型分岐路

  • 無反射構造ナノピラーアレイ 基板:石英 ピッチ200nm 高さ600nm (六方最密配列パターン)

    無反射構造ナノピラーアレイ
    基板:石英
    ピッチ200nm 高さ600nm
    (六方最密配列パターン)

『EIS-700』    ※画像をクリックすると拡大画像が表示されます。
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  • 高アスペクト比 ピラーアレイ構造 (六方最密配列パターン)

    高アスペクト比
    ピラーアレイ構造
    (六方最密配列パターン)

  • 高アスペクト比

    高アスペクト比
    SAWデバイスパターン

  • image

    Si基板ディープエッチング

  • 高アスペクト比 ハニカム構造体

    高アスペクト比
    ハニカム構造体

『ENF-3500』    ※画像をクリックすると拡大画像が表示されます。
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EBテクスチャリング
  • 半球形薄板の三次元溶接

     半球形薄板の三次元溶接 

  • 左図の拡大 SUS304 厚さ40μm

    左図の拡大
    SUS304 厚さ40μm

『ERA-9000』    ※画像をクリックすると拡大画像が表示されます。
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  • EBレジスト(ネガタイプ) (20万倍)

    EBレジスト(ネガタイプ)
    (20万倍)

  • カーボンナノチューブ (10万倍)

    カーボンナノチューブ
    (10万倍)

  • カーボンナノチューブ 先端部分(40万倍)

    カーボンナノチューブ
    先端部分(40万倍)

  • 金粒子 加速電圧による 比較(20万倍) 左半分:100V 右半分:1kV

    金粒子 加速電圧による
    比較(20万倍)
    左半分:100V 右半分:1kV

  • 凹凸強調二次電子像 (A-B像) Si異方性エッチング構造

    凹凸強調二次電子像
    (A-B像)
    Si異方性エッチング構造

  • 三次元鳥瞰図 Si異方性エッチング構造

    三次元鳥瞰図
    Si異方性エッチング構造

『ESF-5000Plus』    ※図をクリックすると拡大画像が表示されます。
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  • シリコン基板上に自己組織化単分子膜を形成したサンプル例

    シリコン基板上に
    自己組織化単分子膜
    を形成したサンプル例  

  • 水の濡れ性(接触角)の測定結果との比較例

    水の濡れ性(接触角)の
    測定結果との比較例  

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