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加速電圧 150 kV
ピッチ 50 nm，線幅 3 nm の
Line & Space パターン
ピッチ 12 nm の Elbow パターン
線幅 8 nm の縦・横・斜め・リングパターン
ギャップ 2.5 nm の Bow-Tie パターン
加速電圧 125 kV
ピッチ 60 nm，線幅 4 nm の
Line & Space パターン
ピッチ 600 nm のブレーズドパターン
2 µm 厚のレジストで作製したピッチ 250 nm の SAW デバイスパターン
一辺 50 nm の三角形パターン
加速電圧 100 kV
Φ 20 nm，高さ 60 nm のピラーパターン
ピッチ 60 nm の Line & Space パターン
ピッチ 400 nm，一辺 200 nm の四角形パターン
円周スキャンを用いた線幅 50 nm のリングパターン
加速電圧 50 kV
4 inch 全面にピッチ 400 nm の Line & Space パターンを 18 h で作製
線幅 100 ~ 450 nm の同心円パターン
モルフォ蝶の鱗粉を模したパターン
線幅 150 nm の長方形パターン
加速電圧 30 kV
ピッチ 100 nm, 線幅 15 nm の Line & Space パターン
線幅 8 nm の「ORCA」パターン
線幅 100 nm, 高さ 200 nm の斜め線パターン
Pt をリフトオフして作製した 9.5 nm のナノギャップパターン
EIS-200ERP
ピッチ 200 nm，深さ 450 nm の Line & Space パターン
Φ300 nm，深さ 300 nm の傾斜ドットパターン
最大深さ 1050 nm のホログラムパターン
Φ35 nm，ピッチ 100 nm のピラーパターン
EIS-220P または EIS-200ERP + オプション
線幅 50 nm，高さ 100 nm の直線リフトオフパターン
線幅 50 nm，高さ 100 nm の曲線リフトオフパターン
線幅 100 nm，高さ 100 nm のリフトオフパターン
T-gate プロセスとリフトオフプロセスで作製したキノコ形状
EIS-1500
ピッチ 450 nm Line & Space の 45 ° 傾斜エッチングパターン
Pt を Ar イオンでエッチングしたピッチ 400 nm Line & Space パターン
Si を Ar イオンでエッチングしたピッチ 400 nm Line & Space パターン
ERA-9200
超高解像度電子線レジスト
ご提供：産業技術総合研究所 （80万倍）
Liイオン電池電極材料
ご提供：日本スピンドル製造株式会社（25万倍）
カーボンナノチューブ
先端部分(40万倍)
Liイオン電池電極材料
ご提供：日本スピンドル製造株式会社
3D解析 段差測定
