正三角形パターン （一辺50nm） シャープなエッジの 三角形が描けている。		600μフィールド描画 フィールドの全面に わたって、均一な 微細線幅が描けている		1nＡによる細線描画 9nm Line（Pitch50nm）

	3層レジスト Tgateprocess		DotPitch 600nm Height 2um		線幅5nmの描画例		100kV描画例と 30kV描画例との比較

	doughnut 85nm (Pitch 200nm)		3Dhologram

	1.R=100μm ブレ−ズドサークル		80nmL&S		レジスト厚さ 1.5μm、 線幅 25nm

	Pyramidal		100nmL&S		BlazedCircle

	EBレジスト （20万倍）		カーボンナノチューブ （10万倍）		カーボンナノチューブ 先端部分(40万倍)		金粒子 加速電圧による 比較(20万倍)

	凹凸強調二次電子像 （A-B)		三次元鳥瞰図		等高線図		二次電子像 （A＋B)

	鳥瞰図		等高線図		組成強調二次電子像 倍率 ×500		凹凸強調二次電子像 倍率 ×500

	処理部と未処理部の比較 (金属パンチ先端エッジ) 【処理前】		処理部と未処理部の比較 (金属パンチ先端エッジ) 【処理後】		エッチング例

	エッチング例		エッチング例		エッチング例		エッチング例

	半球形薄板の３次元溶接		SUS 厚さ40μm