ECRイオンビームスパッタ装置『EIS-220P』
新製品
微細加工装置
※ 装置本体・ラックの他にPC・モニター・デスクを付帯
２本のイオン銃を搭載
2本のイオン銃をエッチング用と成膜用に使い分けることで、サンプルをチャンバー内から取り出すことなく、真空状態を維持したままエッチングと成膜を交互に繰り返し行うことが可能です。
イオンビーム照射角度調整
サンプルステージの角度を調整することで、サンプルに対するイオンビーム照射角度を変更することができ、所望の角度に制御した斜めエッチングが可能です。
不活性ガス、活性ガスが使用可能
Ar、Xe などの不活性ガスに加え、O₂ や CF4 などの活性ガスもイオンソースとして適用できるため、反応性エッチングも可能です。
| イオン銃 | ECR型イオン銃 | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| イオン化ガス | Ar, N₂, O₂, CF₄など ※CF系ガスは要相談 | ||||
| 加速電圧 | 20V～3000V | ||||
| ビーム電流密度 | Ar：1.5mA/cm² 以上 (2kV加速時） | ||||
| イオンビーム有効径 | Φ20mm (FWHM 35mm)※最大時 | ||||
| 最大試料サイズ | メインステージ：Φ4インチ サブステージ：Φ3インチ | ||||
| 試料ステージ | メインステージ：回転傾斜1軸動ステージ（水冷機構付き） サブステージ：回転ステージ（水冷機構付き） | ||||
| 到達真空度 | 4×10⁻⁴Pa以下 | ||||
| 動作真空度 | 6×10⁻³Pa～2×10⁻²Pa | ||||
| 排気系 | ターボ分子ポンプ ドライポンプ | ||||
| 推奨設置スペース | W3000mm×D2000mm×H1500mm | ||||
