微細加工装置製品一覧

ELS-S50

50kV-EBLの名機として数多くの納入実績を誇るELS-7500の後継機、高コストパフォーマンスのEB描画エントリーモデル。

フィールドつなぎ精度向上、操作性向上、省設置スペース化を実現した高コストパフォーマンス50kV-EBL。電子デバイス、光学デバイス、集積回路、MEMS等、サブミクロンオーダーの微細加工に。

製品特徴

低歪みビーム偏向器の採用

Split scan @1mm□・静電型のビーム偏向器を大幅に改善し、1mm□の大面積フィールドにおいても、
 極めて歪みの少ない均一な露光が可能です。
 
 ※右の画像は、1mm□の視野における中央と四隅のフォーカス状態が同時に
  確認できる独自のスプリットスキャン画像です。
  ビーム電流が比較的大きい1nAの条件で、1mm□エリア内のどの場所にお
  いてもジャストフォーカスであることが確認できます。
        画像をクリックすると拡大表示されます。
・均一に描画できるフィールド面積は1mm2以上。

フィールドつなぎ精度の向上

・高精度リニアエンコーダを搭載し、ステージ位置読み取りとビームへのフィードバック機能により、フィールドつなぎ
 精度が3σで100nm以下に向上しました。

オート機能の充実

・オート機能を充実させることで、ビーム調整や描画直前に行なう操作などを簡略化。
 CADパターン設計もマウス操作で親しみ易い操作環境でご使用いただけます。
 その他、市販CADのデータフォーマットのDXF、GDSにも対応しています。

省設置スペースの実現

・SEM-GUI系とEB描画に特化した独自のCADシステムとを1台のPCに統合することで、装置をよりコンパクトにまとめ、
 省設置スペース化を実現しています。

主な仕様

電子銃 ZrO/W熱電界放射型
加速電圧 50kV, 30kV, 20kV
最小電子ビーム径 Φ2nm (於50kV)
描画最小線幅 10nm (於50kV)
ビーム電流強度 1×10-11 5×10-8 A
描画フィールドサイズ 最大 3,000μm x 3,000μm
最小 100μm x 100μm
ビームポジション 最大 1,000,000 x 1,000,000 (20bit DAC)
ビーム位置決め分解能 0.1nm
最大試料サイズ 4インチΦウェハーまたは、4インチ□マスク

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