微細加工装置製品一覧

ELS-HS50

レーザー直描装置では不可能なサブミクロンサイズの加工において、従来の電子描画装置の100倍以上の高スループットを実現しました。

IoT時代の到来により、今まで以上に多品種少量生産が求められる
高付加価値最先端デバイス製造分野にお応えいたします。
【応用分野】
・サブミクロン~ナノメートルサイズの直描リソグラフィ工程、半導体レーザー(DFB)、通信関係(WDM、シリコン
 フォトニクス)、高周波デバイス(HEMT)、ホログラム、バイオチップ、特定用途向けIC(ASIC、SoC)、MEMS
 センサーデバイス、パワーデバイス
・ウェハサイズのナノインプリントモールド作成
・ナノテクノロジーの研究開発

製品特徴

・高輝度ショットキー型電子銃を搭載し、電子光学系を大電流化に特化いたしました。
 
・最大電流1μAでは、6インチウェハx2枚/hの高スループットを実現。
 
・100nAの大電流においても、Φ10nmのビーム径が得られます。


主な仕様

電子銃 ZrO/W熱電界放射型
加速電圧 50kV, 20kV
最小電子ビーム径 Φ2.8nm (於50kV,1nA)
描画最小線幅 20nm (於50kV,2nA)
ビーム電流強度 1×10-9 1×10-6 A (1nA ~ 1μA)
描画フィールドサイズ 最大 3,000μm x 3,000μm
最小 100μm x 100μm
ビームポジション 最大 1,000,000 x 1,000,000 (20bit DAC)
最小ビーム位置決め分解能 0.1nm
最大試料サイズ 8インチΦウェハーまたは、7インチ□マスク

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