微細加工装置製品一覧

ELS-F125

世界最高峰の加速電圧125kVを採用し、
5nmを切る究極の極細線描画性能と圧倒的な
高スループットを実現!
エリオ二クス開発陣の永年に渡る経験、情熱、独創が見事に結晶。

※製品のご購入を検討されているお客様向けに、製品デモンストレーションのご予約を随時受け付けております。
 お気軽にお問い合わせくださいませ。

製品特徴

世界最小、線幅5nmの極細線パターンを保証、高アスペクト比構造が容易に形成できます

Operate・最高125kVの加速電圧、最小径Φ1.7nmのビームが、長時間安定して
 得られます。これにより、最小線幅4nmの超微細パターンを実現い
 たしました。
 
・市販レジストを使用しての線幅5nmの極細線パターン描画を保証いた
 します。
 
・超高加速電圧125kVにより、極小線幅かつ高アスペクト比パターンが
 容易に得られます。
 
・後方散乱電子の影響、近接効果の影響が極めて小さく、描画条件出し
 の負担が大幅に軽減します。

広領域に渡り、均一かつ微細なパターンを描画・格段の高スループット

・電子ビーム照射位置を制御するための電子光学系の大幅な見直しにより、描画フィールドに於ける面内歪みを極力抑え、
 フィールドサイズも大幅に拡大しました。これにより、描画スループットが大幅に向上しました。
 
・描画ステージ系に加え、電子光学系の見直しにより、フィールドつなぎ精度、レジストレーション描画(重ね合わせ)精度
 が大幅に向上しました。より広範囲に、均一かつ高精度なスポットビーム方式による直接描画が実現いたします。

  • 4nm L&S

    市販レジストを用いた線幅4nm、ピッチ35nm
    L&Sパターン描画例

  • SAW device

    SAWデバイスパターン描画例
    レジスト膜厚2μmの高アスペクト比微細パターン

アプリケーションギャラリー

  • 50nm Triangle

    一辺が50nm正三角形パターン 。
    シャープなコーナーを表現しています。

  • Wide area 10nm L&S

    500μm□フィールド全域に渡り、
    10nm線幅のL&Sパターンが均一
    に描けています。

  • 9nm L&S @1nA

    ビーム電流1nAによる高速細線描画
    9nm Line (Pitch 50nm)

主な仕様

電子銃 ZrO/W 熱電界放射型
加速電圧 125kV, 75kV, 25kV
最小電子ビーム径 Φ1.7nm (於125kV)
描画最小線幅 5nm以下 (於125kV)
ビーム電流強度 5×10-12 1×10-7 A
描画フィールドサイズ 最大 3,000μm x 3,000μm
最小 100μm x 100μm
ビームポジション 最大 1,000,000 x 1,000,000 (20bit DAC)
ビーム位置決め分解能 0.1nm
最大試料サイズ 8インチΦウェハーまたは、8インチ□マスク

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