微細加工装置製品一覧

ELS-F100

最大加速電圧100kV、高機能、高コスト
パフォーマンスモデル。
ナノテクノロジーの進化に大きく貢献した先代モデルELS-7000の待望の後継機種。先代モデルとの比較において、飛躍的な進化を遂げています。

製品特徴

高加速・長時間の安定性の両立により、均一な超微細パターンを描画可能

・最高100kVの加速電圧により、最小径Φ1.8nmのビームが、長時間安定して得られます。
 これにより、市販レジストでも6nmの超微細パターンを描画することが可能です。
 
・消費電力は先代モデル比30%の省エネ化、設置面積に於いては24%の省スペース化を実現しています。         

広範囲にわたり微細なパターンを描画

・20bitDACによる0.1nmのビーム位置決め分解能を可能にしました。さらに読み取り分解能0.3nmのレーザー干渉計を
 搭載し、つなぎ精度±10nm以下、重ね合わせ精度±15nm以下を達成しました。これにより、広範囲にわたって微細な
 パターンを精度良く描画できます。

様々な図形を簡単に描画

・各種要素図形描画機能を標準で持っています。
 
・オプションのサークルパターンジェネレーターにより、円周パターン、円弧パターンの発生が可能です。
 
・フィールドサイズ微小ステップ変調機能を用いることで、WDM回折格子製作などに対応いたします。

  • 6nm L&S

    線幅6nmの極細線描画
    6nm Line (Pitch 50nm)

  • Pitch 35nm Cr nano-pillar

    ピッチ35nm正方配列ホールパターン
    形成後のCrピラー(リフトオフ法)

アプリケーションギャラリー

Wide area 20nm L&S

主な仕様

電子銃 ZrO/W 熱電界放射型
加速電圧 100kV, 50kV, 25kV
最小電子ビーム径 Φ1.8nm (於100kV)
描画最小線幅 6nm (於100kV)
ビーム電流強度 2×10-11 1×10-7 A
描画フィールドサイズ 最大 3,000μm x 3,000μm
最小 100μm x 100μm
ビームポジション 最大 1,000,000 x 1,000,000 (20bit DAC)
ビーム位置決め分解能 0.1nm
最大試料サイズ 8インチΦウェハーまたは、8インチ□マスク

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