微細加工装置製品一覧

EIS-220

ナノメーターオーダーの異方性の強いエッチング加工とスパッター成膜法による緻密で良好な薄膜形成がこの一台で行えます。

【成膜】
成膜用基板はプラズマ室とは異なる、より高真空な雰囲気に置かれることで、緻密で良質な薄膜形成を行うことができます。
また、もう一本の独立制御が行えるアシストイオン銃を用いることで酸化膜、窒化膜の形成が可能。
※製品のご購入を検討されているお客様向けに、製品デモンストレーションのご予約を随時受け付けております。
 お気軽にお問い合わせくださいませ。

製品特徴

多彩な成膜条件が可能

EIS-220・イオン銃はスパッタ用とアシスト用の2本を搭載。
 アシストイオン銃の搭載により、多彩な成膜条件が得られます。
 例えば、アシストイオン銃を用い、OまたはNイオンビームを導入する
 ことで、酸化膜や窒化膜の形成が可能です。

イオンビームミキシング・結晶化の促進が可能

・アシスト用イオン銃の併用により、薄膜形成時のイオンビ-ムミキシング、薄膜形成原子の表面で
 の攪拌、結晶化の促進等が可能です。         

長時間安定した運転

・酸素雰囲気中での成膜や、酸素イオンビームによるエッチングが長時間安定して行えます。

主な仕様

イオン銃 ECR型イオン銃
イオン化ガス Ar、Xe等、不活性イオン種用ガス
N2O2CF4等、活性イオン種用ガス
加速電圧 100V~3000V 連続可変(高加速電極ユニット仕様) (出力電流20mA MAX)
イオン流密度 Ar:1.5mA/cm2以上 (2kV加速時)
O2:2.0mA/cm2
以上 (2kV加速時)
イオンビーム有効径 Φ20mm(FWHM35mm)
イオン流安定度 ±3%/2H

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