ECRイオンビームエッチング装置『EIS-200ERP』
新製品
微細加工装置
コンパクトかつ高性能
1050 × 650 × 1260 mm のコンパクトサイズで，様々な環境に設置可能です。真空中で加速されたイオンビームにより、サブミクロン領域でのアンダーカット・サイドカットの少ない異方性エッチングが可能です。
不活性ガス、活性ガスが使用可能
Ar、Xe などの不活性ガスに加え、O₂ や CF4 などの活性ガスもイオンソースとして適用できるため、反応性エッチングも可能です。
幅広い拡張性
オプションの成膜ユニットを取り付ければスパッタ成膜装置としても使用可能。ロングスロースパッタにも対応し、材料を直進性高く成膜することができます。
| イオン銃 | ECR型イオン銃 | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| イオン化ガス | Ar, N₂, O₂, CF₄など ※CF系ガスは要相談 | ||||
| 加速電圧 | 20V ~ 3000V | ||||
| ビーム電流密度 | Ar：1.5mA/cm²以上 (2kV加速時） | ||||
| ビーム有効径 | Φ20mm(FWHM 35mm) ※最大時 | ||||
| 最大試料サイズ | Φ4インチ | ||||
| 試料ステージ | 回転傾斜1軸動ステージ（水冷機構付き） | ||||
| 到達真空度 | 3×10⁻⁴Pa以下 | ||||
| 動作真空度 | 6×10⁻³Pa～2×10⁻²Pa | ||||
| 排気系 | ターボ分子ポンプ 油回転ポンプ（ドライポンプ変更可） | ||||
| 推奨設置スペース | W2300mm×D2000ｍｍ×Ｈ1500mm | ||||
