微細加工装置製品一覧

EIS-200ER

ロングセラーのコンパクトかつ高性能な多目的イオンシャワー装置がパネルPC制御でさらに使い易く!
タッチパネルを採用したPCを搭載し、微細加工プロセスのPC制御が可能になりました。

・サブミクロン領域でのアンダーカット、サイドカットの少ない
 異方性エッチングが特徴です。  

・低加速電圧でも高い電流密度が得られるため、基板へのダメー
 ジの少ないエッチング、表面クリーニングなどが可能です。
 半導体ウエハーのパターンエッチングなどに最適です。

・プラズマ生成条件とビームを引き出す条件を独立してコントロー
 ルできるため、多様な実験条件が設定可能です。
※製品のご購入を検討されているお客様向けに、製品デモンストレーションのご予約を随時受け付けております。
 お気軽にお問い合わせくださいませ。

製品特徴

不活性ガス、活性ガスが使用可能

EIS-200ER・Ar、Xeなどの不活性ガスに加え、O₂やC₃F₈、CHF₃などの活性ガス
 でも安定したプラズマが生成可能です。

・ニュートラライザ―(中和電極)を備え、石英ガラスなどの絶縁物の
 エッチングも行えます。

幅広い拡張性

・大気開放せず同一サンプルに対し、エッチング、表面クリーニング後に連続して成膜が可能な『エッチング/
 成膜システム(AED)』、ロングスロースパッタ成膜方式による極微細パターンのリフトオフに最適な
 『ナノパターン成膜ユニット(NPD)』など、用途に応じてカスタマイズ可能。
 また、ECRイオン銃単体での販売も可能です。(EIG-210P、制御電源含む)

AED(一台二役! エッチング/成膜システム) オプション装着例

  • image

    エッチングと成膜の両機能を真空を破らずに連続して行える。

  • image

    手前に開いたスパッタターゲット用回転水冷ステージ。
    そして、チャンバー内部にはエッチング基板と成膜基板の固定
     を兼ねる回転傾斜1軸動水冷ステージ。

  • エッチング時

    エッチングモード

  • 成膜時

    成膜モード

NPDユニット オプション装着例

  • Lift-off process

    リフトオフプロセス

    ※図をクリックすると拡大表示されます。

  • image

    NPDユニットによるロングスロースパッタ成膜(右)
    EB蒸着では得られない、より微粒子でかつ直進性の強い
    スパッタ成膜が可能です。

    ※図をクリックすると拡大表示されます。

  • NPD unit

    NPD:ナノパターン成膜ユニット

    ※画像をクリックすると拡大表示されます。

  • EIS-200ER + NPD unit

    EIS-200ER(従来モデル)+NPD  

主な仕様

イオン銃 ECR型イオン銃
イオン化ガス Ar、Xe等、不活性イオン種用ガス
N2O2CF4等、活性イオン種用ガス
加速電圧 100V~3000V 連続可変(高加速電極ユニット仕様) (出力電流20mA MAX)
イオン流密度 Ar:1.5mA/cm2以上 (2kV加速時)
O2:2.0mA/cm2
以上 (2kV加速時)
イオンビーム有効径 Φ20mm(FWHM35mm)
イオン流安定度 ±3%/2H
最大試料寸法 Φ4インチ

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