微細加工装置製品一覧

EIS-1200

ECRプラズマを用いた異方性の強いドライエッチング装置。ナノインプリントモールド作成用途に最適です。
その他、様々なナノテク研究分野における微細加工プロセスにご使用いただけます。

※製品のご購入を検討されているお客様向けに、製品デモンストレーションのご予約を随時受け付けております。
 お気軽にお問い合わせくださいませ。

製品特徴

ECRプラズマ方式を採用

EIS-1200・真空度の高い環境下で使用可能なため、直進性の良いビームが得られ
 ます。
 
・熱陰極を用いない方式により、各種反応性ガスを用いたプロセスが可能
 です。
 
・ビーム径Φ108mmの均一な平行イオンビームでエッチングが行えま
 す。

低加速電圧で長時間安定したプラズマによりナノメートルオーダーの微細加工に最適

・低加速電圧でも高い電流密度が得られ、基盤へのダメージの少ないエッチング、表面クリーニングが可能です。
 
・中和電極採用のため、絶縁物へのエッチングも可能です。
 
・サブミクロン領域でのアンダーカット、サイドカットの少ないエッチングが行えます。

省スペース

・本体サイズは、1200mm×700mm。コンパクトな設計です。  

PCによる自動制御

・プラズマ条件の設定・制御、ステージ温度、ビーム分布などのモニター表示、全ての操作部、表示系を1台のPC で処理、
 ユーザーフレンドリーなシステムです。         

銃のみご提供も可能

・イオン銃のみのご提供も可能です。お手持ちの真空チャンバーに取り付けてご使用いただけます。

アプリケーションギャラリー

  • 50nm Y-shape

    ナノ流路デバイス  基板:石英
    溝幅50nmのY型分岐路

  • Pitch200nm nano-pillar array

     無反射構造 ナノピラーアレイ  基板:石英
    ピッチ200nm 高さ600nm

主な仕様

イオン銃 ECR型イオン銃
イオン化ガス Ar、Xe等、不活性イオン種用ガス
N2O2CF4等、活性イオン種用ガス
加速電圧 30V~3000V
イオン流モニター 1.0mA/cm2以上 (加速電圧1000VでArまたはO2使用時)
イオンビーム有効径 Φ108mm (700V加速、ArまたはO2ガス単独使用で0.4mA~0.6mA/cm2程度の
ビーム強度時)
試料サイズ  最大径 Φ6インチ
到達真空度

2x10-4Pa

ガス導入機構 自動流量制御 最大4系統
試料ステージ 垂直回転水冷ステージ (温度制御:-20~70℃)

資料請求・仕様などお気軽にお問い合わせください。

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