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超高精細高精度電子ビーム描画装置
ELS-F125
世界初、超高加速125kVでの電子ビームリソグラフィー！
広領域、低歪の描画フィールドにより、均一かつ高精度な描画を実現しました。
製品特徴
世界最細の超微細パターン5nmを保証。
高アスペクト比構造を描画できます。
- 最高125kVの加速電圧により、最小径 φ1.7nm のビームが、長時間安定して得られます。これにより、市販レジストでも5nmの超微細パターン描画を保証します。（4nmも可能です）
- 超高加速125kVにより、超微細パターンの高アスペクト描画が可能です。
広領域にわたり均一かつ微細なパターンを描画・格段の高スループット
- 電子ビームを制御するための電子光学系を見直したことで、ひずみを抑え、一度に描画できる領域を大幅に拡大しました。これにより、加工時間も大幅に短縮することに成功。
- 電子光学系の見直しにより、つなぎ、重ね合わせの精度も大幅に向上。広範囲に渡り、均一かつ高精度な描画を行うことができます。
※詳細はお問い合わせ下さい
4nmの極細線ライン描画
4nm Line(Pitch 35nm)
SAWデバイス
レジスト厚膜2μm
高アスペクト比のデバイス
アプリケーションギャラリー
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正三角形パターン
（一辺50nm）
シャープなエッジの
三角形が描けている。
600μフィールド描画
フィールドの全面に
わたって、均一な
微細線幅が描けている
1nＡによる細線描画
9nm Line（Pitch50nm）
仕様
| 電子銃 | ZrO/W熱電界放射型 |
| 加速電圧 | 125kV, 75kV, 25kV |
| 最小電子ビーム径 | φ1.7nm (於125kV) |
| 描画最小線幅 | 5nm (於125kV) |
| ビーム電流強度 | 5×10-12〜1×10-7A |
| 描画フィールドサイズ | 最大2,400μm×2,400μm 最小75μm×75μm |
| ビームポジション | 最大960,000×960,000 (20bit DAC) |
| ビーム位置決め分解能 | 0.078nm |
| 最大試料サイズ | 6インチφウェハー又は6インチ□マスク （オプションで8インチ可能） |
※詳細仕様はお問い合わせください。
