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TFE電子ビーム描画装置
ELS-7500EX
10nm以下の超高精度描画。高度なつなぎ精度/重ね合わせ精度を実現しました。
製品特徴
超微細描画を実現
- φ2nmのスポットビームにより10nmラインパターンを実現しました。描画パターンの評価用SEMとしても充分活用できる観察機能を搭載しております。
高精度のつなぎ・重ね合わせ精度
- 重ね合わせ精度40nmを達成。フォトリソとのMIX & MATCHにも対応します。
- 最適ビーム条件がプリセットされたレシピ機能で、面倒なアライメント調整から開放されます。
- レーザー干渉計搭載ステージ、18ビットDACによる、最小0.31nmのフィールド内ビーム位置決め機能により、継ぎ精度40nmを実現しました。
省スペースと高性能の両立。オールPC制御で操作も簡単。
- Windows対応のGUIとCADの統合により、省設置スペースを実現しました。
- 電子光学系条件の変更や制御決定、CADパターン設計はマウス操作による親しみやすい操作環境です。
アプリケーションギャラリー
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1.R=100μmブレ−ズドサークル
（半径方向ピッチ1.0μm）
80nmL&S
レジスト厚さ 1.5μm、
線幅 25nm
仕様
| 電子銃エミッター | ZrO/W熱電界放射型 |
| 加速電圧 | 5〜50kＶ |
| 最小線幅 | 10nm |
| 試料サイズ | 最大4インチ （オプション：6インチ） |
| ステージ移動範囲 | X:100mm以上 Y:110mm以上 |
| 重ねあわせ精度 | 40nｍ |
| フィールド継ぎ精度 | 40nｍ |
