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ECRイオンシャワー装置
EIS-1200
ECRプラズマ方式によるナノインプリントモールド作成を実現！Arガスで金属薄膜が精度よく加工でき、条件を変えることで石英もエッチングできます。
ナノインプリント用モールドの作成ほか、様々なナノテク分野の研究・加工で必要となる石英基板や磁性膜などのエッチングを行うことができます。
製品特徴
ＥＣＲプラズマ方式を採用
- 真空度の高い環境下で使用可能なため、直進性の良いビームが得られます。
- 熱陰極を用いない方式なので各種の反応性ガスによるプロセスが可能です。
- ビーム径φ108mmの均一なイオンビームでエッチングできます。
低加速電圧で長時間安定したプラズマによりナノメートルオーダーの微細加工に有利
- 低加速電圧でも高い電流密度が得られるため、基盤へのダメージの少ないエッチング、表面クリーニングなどが可能です。
半導体ウエハーのパターンエッチングなどに最適です。 - 中和電極採用のため、絶縁物へのエッチングも可能です。
- サブミクロン領域でのアンダーカット、サイドカットの少ないエッチングもできます。
省スペース
- 本体スペースを1200mm×700mmに抑えました。一般的なエッチング装置に
比べコンパクトで扱い易くしました。
PCによる自動制御
- ステージ温度、ビーム分布のモニター機能や、各種のプラズマ条件、操作部、表示系を全てPC 上で処理でき、ユーザーフレンドリーな装置です。
銃のみご提供も可能
- イオン銃のみのご提供もできますので、各種真空装置へも容易に取付けられます。
アプリケーションギャラリー
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SiO2膜エッチング
400nmピッチ
200nm × 400nm
石英基盤エッチング
200nmピッチ
80nm × 80nm
石英基盤エッチング
60nmピッチ
15nm × 70nm
仕様
| イオン銃 | ECR型イオン銃 |
| イオン化ガス | Ar、N2、O2、CHF3、CF4等、 活性イオン種用ガス |
| 加速電圧 | 30V〜3000V |
| イオン流モニター | 1.0mA/cm2以上 （加速電圧1000VでArまたはO2使用時） |
| イオンビーム有効径 | φ108mm（700V加速、ArまたはO2ガス単独使用で0.4mA〜0.6mA/cm2程度のビーム強度時） |
| 試料サイズ | 最大φ6インチ |
| 到達真空度 | 2ｘ10-4Pa |
| ガス導入機構 | 自動流量制御 最大4系統 |
| 試料ステージ | 垂直回転水冷ステージ（温度制御: -20〜70℃） |
